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10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6VP121KHR6 MRF6VP121KHSR6
TYPICAL CHARACTERISTICS ? 785 MHZ
20.5
10
10
60
17
50
40
30
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
Figure 15. Pulsed Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
16
15.5
1000 3000
Gps
20
18
V20
DD
=50Vdc
IDQ
= 150 mA
100
19.5
f = 785 MHz
19
Pulse Width = 128
μsec
Duty Cycle = 10%
18.5
16.5
17.5
55
45
35
25
15
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